邯鄲西門(mén)子變頻器總代理商 SIEMENS潯之漫智控技術(shù)（上海）有限公司
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晶閘管燒壞都是由溫度過(guò)高造成的，而溫度是由晶閘管的電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性決定的，因此保證晶閘管在研制、生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量應(yīng)從三方面入手：電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性，而且三者是緊密相連、密不可分的，所以在研制、生產(chǎn)晶閘管時(shí)應(yīng)充分考慮其電應(yīng)力、熱應(yīng)力、結(jié)構(gòu)應(yīng)力。燒壞晶閘管的原因很多，總的說(shuō)來(lái)還是三者共同作用下才致使晶閘管燒壞的，某一單獨(dú)的特性下降很難造成晶閘管燒壞，因此我們?cè)谏a(chǎn)過(guò)程中可以充分利用這個(gè)特點(diǎn)，就是說(shuō)如果其中的某個(gè)應(yīng)力達(dá)不到要求時(shí)可以采取提高其他兩個(gè)應(yīng)力的辦法來(lái)彌補(bǔ)。 從晶閘管的各相參數(shù)看，經(jīng)常發(fā)生事故的參數(shù)有：電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、開(kāi)通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間等，甚至有時(shí)控制極也可燒壞。由于晶閘管各參數(shù)性能的下降或線(xiàn)路問(wèn)題會(huì)造成晶閘管燒壞，從表面看來(lái)每個(gè)參數(shù)所造成晶閘管燒壞的現(xiàn)象是不同的，因此通過(guò)解剖燒壞的晶閘管就可以判斷是哪個(gè)參數(shù)造成晶閘管燒壞的。 電壓引起晶閘管燒壞現(xiàn)象 一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒壞的小黑點(diǎn)說(shuō)明是由于電壓引起的，由電壓引起燒壞晶閘管的原因有兩中可能，一是晶閘管電壓失效，就是我們常說(shuō)的降伏，電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線(xiàn)路問(wèn)題，線(xiàn)路中產(chǎn)生了過(guò)電壓，且對(duì)晶閘管所采取的保護(hù)措施失效。 電流引起晶閘管燒壞現(xiàn)象 電流燒壞晶閘管通常是陰極表面有較大的燒壞痕跡，甚至將芯片、管殼等金屬大面積溶化。 di/dt引起晶閘管燒壞現(xiàn)象 由di/dt所引起的燒壞晶閘管的現(xiàn)象較容易判斷，一般部是門(mén)極或放大門(mén)極附近燒成一小黑點(diǎn)。我們知道晶閘管的等效電路是由兩只可控硅構(gòu)成，門(mén)極所對(duì)應(yīng)的可控硅做觸發(fā)用，目的是當(dāng)觸發(fā)信號(hào)到來(lái)時(shí)將其放大，然后盡快的將主可控硅導(dǎo)通，然而在短時(shí)間內(nèi)如果電流過(guò)大，主可控硅還沒(méi)有*導(dǎo)通，大的電流主要通過(guò)相當(dāng)于門(mén)極的可控硅流過(guò)，而此可控硅的承載電流的能力是很小的，所以造成此可控硅燒壞，表面看就是門(mén)極或放大門(mén)極附近燒成一小黑點(diǎn)。 dv/dt引起晶閘管燒壞現(xiàn)象 至于dv/dt其本身是不會(huì)燒壞晶閘管的，只是高的dv/dt會(huì)使晶閘管誤觸發(fā)導(dǎo)通，其表面現(xiàn)象跟電流燒壞的現(xiàn)象差不多。 開(kāi)通時(shí)間引起晶閘管燒壞現(xiàn)象 開(kāi)通時(shí)間跟di/dt的關(guān)系很密切，因此其燒壞晶閘管的現(xiàn)象跟di/dt燒壞晶閘管基本類(lèi)似。 關(guān)斷時(shí)間引起晶閘管燒壞現(xiàn)象 關(guān)斷時(shí)間燒壞晶閘管的現(xiàn)象較難分析，其特點(diǎn)有時(shí)象電壓燒壞，有時(shí)又象電流燒壞，從實(shí)踐來(lái)看象電流燒壞的時(shí)候比較多。 以上分析只是從晶閘管表面的損壞程度來(lái)判斷其到底是由什么參數(shù)造成的，但無(wú)論什么原因損壞都會(huì)在晶閘管上留下痕跡，這種痕跡大多是燒壞的黑色痕跡，而黑色痕跡就是金屬熔化的痕跡，就是說(shuō)燒壞晶閘管的最根本原因是將晶閘管芯片熔化，有的是大面積熔化，有的是小面積熔化。我們知道單晶硅的熔點(diǎn)是1450℃~1550℃，只有超過(guò)這個(gè)溫度才有可能熔化，那么這么高的溫度是怎么產(chǎn)生的呢？ 就晶閘管的各項(xiàng)參數(shù)而言即使每相參數(shù)都超出標(biāo)準(zhǔn)很多也不會(huì)產(chǎn)生如此高的溫度，因?yàn)闇囟仁怯呻娏鳌㈦妷?、時(shí)間三者的乘積決定的，其中某一相超標(biāo)是不會(huì)產(chǎn)生這么高的溫度的，所以瞬時(shí)產(chǎn)生的高電壓、大電流是不會(huì)將芯片燒壞的，除非是高電壓、大電流、長(zhǎng)時(shí)間才會(huì)如此，但這種情況是不可能出現(xiàn)的，因?yàn)榫чl管一經(jīng)燒毀設(shè)備立即就會(huì)出現(xiàn)故障，會(huì)立即停機(jī)，時(shí)間不會(huì)很長(zhǎng)的，因此燒壞晶閘管芯片的高溫決不是電流、電壓、時(shí)間三者的乘積產(chǎn)生的。那么到底是怎么產(chǎn)生的呢？ 其實(shí)無(wú)論晶閘管的那個(gè)參數(shù)造成其燒壞，最終的結(jié)果都可以歸納為電壓擊穿，就是說(shuō)晶閘管燒壞的最終原因都是由電壓擊穿造成的，其表面的燒壞痕跡也是由電壓擊穿所引起的，這點(diǎn)我們?cè)诰чl管的應(yīng)用中也能夠證明：在用萬(wàn)用表測(cè)試燒壞的晶閘管時(shí)發(fā)現(xiàn)其陰極、陽(yáng)極電阻都非常小，說(shuō)明其內(nèi)部短路，到目前為止基本沒(méi)發(fā)現(xiàn)有陰極、陽(yáng)極開(kāi)路的現(xiàn)象，因?yàn)樾酒怯刹煌饘贅?gòu)成的，不同金屬的熔點(diǎn)是不一樣的，總會(huì)有先熔化和后熔化之分，是逐漸熔化。 | 
